英特尔中国总裁王瑞在一次活动中表示，该公司已经确定了两项技术的所有规格、材料、要求和性能目标，但这并不意味着生产节点已准备好用于商业制造。

　　英特尔的20A制造工艺将依赖于全门控环绕RibbonFET晶体管，并采用背面供电。同时缩小金属间距、引入全新的晶体管结构和背面供电是一项高风险的举措，但预计20A将使英特尔超越竞争对手——TSMC和三星。英特尔计划在2024年上半年开始使用这个节点。

　　英特尔的18A制造工艺将进一步完善公司的RibbonFET和PowerVia技术，并缩小晶体管尺寸。该节点的开发进展顺利，以至于英特尔将其推出时间从2025年提前到2024年下半年。英特尔最初计划在其1.8埃节点上使用ASML的Twinscan EXE扫描仪，数值孔径（NA）光学为0.55，但由于决定尽早使用该技术，它将不得不广泛使用现有的Twinscan NXE扫描仪，光学NA为0.33，以及EUV双重图案。

　　该公司预计，当其1.8纳米级制造技术在2024年下半年进入高产量制造时，它将成为行业最先进的节点。

　　Intel的20A和18A制造工艺既为公司自身产品的生产开发，也将用于Intel Foundry Services (IFS)事业部为其代工客户生产芯片。

　　Intel的首席执行官Pat Gelsinger在最近与分析师和投资者的电话会议上表示：“我们与10大代工客户中的七家保持着积极的合作关系，并持续扩大合作伙伴生态系统的增长，目前已经有43个潜在客户和生态系统合作伙伴进行测试芯片。”此外，我们在Intel 18A方面仍在取得进展，已经与我们的主要客户分享了PDK 0.5（工艺设计工具包）的工程版本，并预计在未来几周内发布最终生产版本。”