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长江存储启动:世界各大芯片巨头落后

2022-12-05 15:43:35   作者:   来源:快科技   评论:0  点击:


  近日,长江存储发布基于晶栈3.0(Xtacking 3.0)架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片,名为X3-9070。相比上一代产品,X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度。

  据Tech Insights报道,长江存储的X3-9070已经量产了,除了用于致态TiPlus7100系列SSD,还被用在海康威视的CC700 2TB SSD上,这是首个进入零售市场的200+层3D NAND闪存解决方案,领先于三星、美光、SK海力士等厂商。

  据长江存储介绍,X3-9070的I/O传输速率达到了2400 MT/s,符合ONFI 5.0规范,相比上一代产品提高了50%的性能;得益于晶栈3.0架构,X3-9070成为了长江存储有史以来存储密度最高的闪存颗粒,能够在更小的单颗芯片中实现1Tb(128GB)的存储容量;采用6-plane设计,相比一般的4-plane性能提升50%以上,同时功耗降低25%,能效比提高了,成本也更低了。

  作为存储大厂,今年美光、SK海力士和三星先后推出了200+层的3D NAND闪存解决方案。其中最早的是美光,在5月就宣布推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存,称准备在2022年末开始生产,其采用了CuA架构,使用NAND的字符串堆叠技术,初始容量为1Tb(128GB)。

  到了8月,SK海力士宣布已成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,并已经向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品。

  三星在上个月宣布,已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层。

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