开工仪式上，长飞先进总裁陈重国、运营副总裁徐德明分别致辞，对项目的开工表示了热烈祝贺。徐德明表示，因为对第三代半导体同样的信仰，让我们今天相聚在长飞先进，共同立在时代的潮头。只要方向和方法正确，坚持下去一定会实现目标。我们对此充满信心，相信武汉基地的建设将会成为公司发展强大的助推器，推动长飞先进成为中国第三代半导体产业领头羊，竞逐国际市场。
陈重国在致辞时指出，在碳化硅行业，“产能为王”一直是行业关键词，尤其是随着800V新能源汽车的推出，2025年碳化硅市场将迎来全面爆发。为此，公司于2022年重组就已经开始前瞻性规划武汉基地的建设，此后一路加快步伐，并于今日迎来正式开工。
他表示，武汉基地的顺利开工，标志着公司在第三代半导体领域迈出了重要一步，将为公司在碳化硅产业的高速发展注入强大的动力，在降低成本的同时，也为后续业务进一步拓展及客户服务提供充足的产能保障。
长飞先进半导体武汉基地位于光谷科学岛，项目总投资预计超过200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，公司产能规模将居行业绝对领先地位。
陈重国表示，半导体行业门槛非常高，但越高也就代表着硬实力越重要。对于长飞先进而言，如今，人才、资金、厂房均已就位，接下来要做的就是沉下心来埋头苦干，把产品做好，相信几年之后一定会是一番新天地。
立足新起点，开启新征程。以此次武汉基地开工仪式为契机，长飞先进将不断加快碳化硅产业建设步伐，加强关键核心技术攻关和创新突破，朝着“世界领先的宽禁带半导体”公司加速前进。
据悉，安徽长飞先进半导体有限公司成立于2018年，注册资本14,963.6604万元，专注于碳化硅功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。
公司可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管，致力于提供高品质的服务，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。
日前，长飞先进半导体完成了超38亿元A轮股权融资，融资规模创国内第三代半导体私募股权融资规模历史之最，并刷新2023年以来半导体私募股权融资市场单笔最大融资规模纪录。
新增投资方包括光谷金控、浙江国改基金、中平资本、中建材新材料产业基金、中金资本旗下基金、海通并购基金、国元金控集团旗下基金、鲁信创投、东风资产、建信信托、十月资本、华安嘉业、中互智云、宝樾启承、云岫资本等，涵盖实力地方国资、产业资本、顶级投资机构。老股东长飞光纤、天兴资本等本轮持续追加。
