SK 海力士于去年 9 月全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E 的运行速度可达 9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。
IT之家注意到，去年 11 月，SK 集团会长崔泰源表示，英伟达 CEO 黄仁勋要求 SK 海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。
SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。
彭博社知情人士今年 2 月透露，三星电子公司已获得批准向英伟达供应其高带宽存储芯片 8 层 HBM3E。虽然该批准标志着三星向前迈进了一步，但它在高带宽内存（HBM）技术方面仍然落后于 SK 海力士和美光科技等竞争对手。
而美光方面，美光执行副总裁兼首席财务官 Mark Murphy 今年 2 月透露，该公司的 12 层堆叠 HBM 内存产品（12Hi HBM3E）即将放量。
